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以色列理工學(xué)院近日發(fā)布公報(bào)說(shuō)，該院人員領(lǐng)銜的一項(xiàng)新研究開(kāi)發(fā)出了一種新材料，將來(lái)有可能取代芯片中的硅。

一個(gè)芯片可能包含數(shù)十億個(gè)晶體管，芯片性能的提升基于晶體管的不斷小型化。近年來(lái)硅晶體管的小型化速度已放緩，因?yàn)榈竭_(dá)一定微小尺度后，晶體管功能會(huì)受到量子力學(xué)某些效應(yīng)的干擾，從而影響正常運(yùn)行。

這項(xiàng)研究發(fā)表在美國(guó)《先進(jìn)功能材料》雜志上。在該研究中，以色列理工學(xué)院的研究人員在獨(dú)特的實(shí)驗(yàn)室系統(tǒng)中合成一種氧化物材料，這一新材料原子間的距離能以皮米即千分之一納米的精度準(zhǔn)確控制，而硅材料兩個(gè)原子間的距離約為四分之一納米。

通過(guò)這些發(fā)生在千分之一納米范圍內(nèi)的微小變化，研究人員正在開(kāi)發(fā)新的方法來(lái)控制材料在導(dǎo)電和絕緣狀態(tài)之間變化，使其具有半導(dǎo)體的特性。研究人員還用瑞士日內(nèi)瓦的粒子加速器觀(guān)察這些微小變化如何影響新材料中電子的排列，以進(jìn)一步推進(jìn)未來(lái)晶體管的研發(fā)。

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