第三代半導(dǎo)體技術(shù)與材料論壇將于2023年9月21-22日在廈門(mén)召開(kāi)，詳見(jiàn)后文

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“深圳衛(wèi)視深視新聞”消息，7月29日英特爾大灣區(qū)科技創(chuàng)新中心在深圳正式啟動(dòng)運(yùn)營(yíng)，并與深圳前海深蕾半導(dǎo)體、芯?？萍?、深圳英維克科技、記憶科技等企業(yè)現(xiàn)場(chǎng)簽訂合作備忘錄。

據(jù)悉，英特爾大灣區(qū)科技創(chuàng)新中心由英特爾與深圳市南山區(qū)政府?dāng)y手打造，該中心以南山留仙洞總部基地云科技大廈為空間載體，重點(diǎn)圍繞人才培訓(xùn)、產(chǎn)業(yè)孵化、成果展示、科技研究轉(zhuǎn)化和技術(shù)開(kāi)發(fā)支持五大功能，聚焦人工智能、芯片應(yīng)用開(kāi)發(fā)、邊緣計(jì)算、數(shù)字化發(fā)展等前沿技術(shù)領(lǐng)域，匯聚高校、科研院所、初創(chuàng)技術(shù)企業(yè)、行業(yè)龍頭公司等產(chǎn)業(yè)鏈上下游生態(tài)資源，在全國(guó)范圍內(nèi)為泛信息技術(shù)領(lǐng)域企業(yè)和院校提供人才培養(yǎng)、孵化加速、生態(tài)培育、展示推廣、成果轉(zhuǎn)化、渠道對(duì)接等全方位服務(wù)。

留仙洞總部基地是深圳七大總部基地之一和深圳17個(gè)重點(diǎn)發(fā)展區(qū)域之一，正加快打造國(guó)際化新一代信息技術(shù)研發(fā)中心，建成南山、乃至深圳未來(lái)引領(lǐng)高端產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新平臺(tái)和創(chuàng)新高地。目前已引入了大疆創(chuàng)新、普醫(yī)療、天瓏移動(dòng)、傳音控股和烯創(chuàng)先進(jìn)等優(yōu)秀企業(yè)總部入駐。

來(lái)源：全球半導(dǎo)體觀察

以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體是戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的核心材料，在《“十四五”規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》中被列為重點(diǎn)；碳中和與新能源體系變革的背景下，在風(fēng)電、光伏、新能源汽車(chē)、儲(chǔ)能等行業(yè)應(yīng)用前景廣闊。

據(jù)行業(yè)機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，到2026年，碳化硅產(chǎn)品市場(chǎng)將達(dá)35億美元，氮化鎵功率產(chǎn)品市場(chǎng)需求增長(zhǎng)到21億美元。近年來(lái)，國(guó)內(nèi)企業(yè)如三安、英諾賽科、士蘭明鎵等不斷布局氮化鎵項(xiàng)目，全產(chǎn)業(yè)鏈項(xiàng)目約26個(gè)，國(guó)外龍頭如英飛凌等也正積極布局。

在碳化硅功率器件市場(chǎng)，受益于特斯拉的應(yīng)用需求，意法半導(dǎo)體領(lǐng)先全球市場(chǎng)；Wolfspeed、安森美和羅姆等廠商跟隨。襯底、外延、芯片三個(gè)環(huán)節(jié)技術(shù)含量密集，是投資和創(chuàng)新重點(diǎn)。碳化硅6英寸襯底技術(shù)已經(jīng)穩(wěn)定導(dǎo)入產(chǎn)業(yè)，8英寸襯底正在探索商業(yè)化量產(chǎn)，其中尤以襯底大廠Wolfspeed推進(jìn)最為迅速，國(guó)內(nèi)企業(yè)在提供樣品或小規(guī)模供貨階段。

第三代半導(dǎo)體技術(shù)與材料論壇將于2023年9月21-22日在廈門(mén)召開(kāi)。重點(diǎn)關(guān)注碳化硅、氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈前景，最新襯底、外延、器件技術(shù)與項(xiàng)目投資，碳化硅、氮化鎵長(zhǎng)晶技術(shù)，凈化工程與EPC，新興化合物半導(dǎo)體前沿技術(shù)與應(yīng)用。參觀第三代半導(dǎo)體重點(diǎn)企業(yè)與項(xiàng)目。

會(huì)議主題包括但不限于

國(guó)際形勢(shì)對(duì)中國(guó)第三代半導(dǎo)體發(fā)展的影響

第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇

6寸與8寸SiC項(xiàng)目投資與市場(chǎng)需求

SiC長(zhǎng)晶工藝技術(shù)與設(shè)備

凈化工程與EPC工程項(xiàng)目實(shí)踐

8英寸SiC國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程和技術(shù)突破

SiC市場(chǎng)以及技術(shù)發(fā)展難題&解決方案

SiC與GaN外延片技術(shù)進(jìn)展

大尺寸GaN長(zhǎng)晶難點(diǎn)及技術(shù)展望

GaN材料技術(shù)進(jìn)展

SiC與GaN器件與下游應(yīng)用

功率器件封裝技術(shù)與材料

新興化合物半導(dǎo)體進(jìn)展：氧化鎵、氮化鋁、金剛石、氧化鋅

工業(yè)參觀與考察（重點(diǎn)企業(yè)或園區(qū)）

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亞化咨詢(xún)重磅推出《中國(guó)半導(dǎo)體材料、晶圓廠、封測(cè)項(xiàng)目及設(shè)備中標(biāo)、進(jìn)口數(shù)據(jù)全家桶》。本數(shù)據(jù)庫(kù)月度更新，以EXCEL表格的形式每月發(fā)送到客戶(hù)指定郵箱。

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中國(guó)大陸半導(dǎo)體封測(cè)項(xiàng)目表（月度更新）

中國(guó)大陸電子特氣項(xiàng)目表（月度更新）

中國(guó)大陸半導(dǎo)體濕電子化學(xué)品項(xiàng)目表（月度更新）

中國(guó)大陸晶圓廠當(dāng)月設(shè)備中標(biāo)數(shù)據(jù)表（月度更新）

中國(guó)大陸上月半導(dǎo)體前道設(shè)備進(jìn)口數(shù)據(jù)表（月度更新）

中國(guó)大陸半導(dǎo)體大硅片項(xiàng)目地圖（月度更新）

中國(guó)大陸8英寸晶圓廠項(xiàng)目地圖（月度更新）

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